由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。
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简单介绍了目前国内大功率LED 芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm /W,主流水平位于90 ~ 100 lm /W 之间,但与进口产品相比都还存在较大差距;各个厂家的芯片封装的LED 光源显色指数高低不一,其主要原因是芯片的峰值波长不同;在性价比方面,国产芯片价格已达到每百流明2 元以下,具有较强的竞争力。
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速科德电机科技 2022-08-17 10:09:41德国SycoTec高速主轴电机:陶瓷劈刀内孔研磨(外研磨)技术
噜噜噜 2018-06-01 10:20:22从人类基因看生鲜照明
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Elaineluoy 2018-03-30 16:58:02新型LED均匀布光微结构设计和仿真
lkp6300 2018-03-13 12:17:02各主要国家电压
LED芯片只是一块很小的固体,它的两个电极要在显微镜下才能看见,加入电流之后他才会发光。在制作工艺上,除了要对LED芯片的两个电极进行焊接,从而引出正极、负极之外,同时还需要对LED芯片和两个电极进行保护。
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LED的散热现在越来越为人们所重视,这是因为LED的光衰或其寿命是直接和其结温有关,散热不好结温就高,寿命就短,依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2倍。
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封装过程中也可能造成正向压降低,主要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定
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大功率LED灯珠主要构成器件为大功率LED芯片,如何制造高品质LED高功率晶片至关重要。常见的制造大功率LED芯片的方法有以下5种。
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LED其核心是PN结,PN结是指在P型半导体和N型半导体之间的一个过渡层。在一定条件下,如图1.1所示,PN结中,电子从N型材料扩散到P区,而空穴从P型材料扩散到N区,就在PN结处形成一个势垒,阻止了电子和空穴进一步扩散,达到平衡状态。
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本文重点从封装角度对LED的散热性能进行热分析,并进行热设计。采用COB技术,直接将LED芯片封装在铝基板上,缩短了热通道和热传导的距离,从而降低了LED的结温,设计出一种基于COB技术的LED。分析其等效热阻网络,比较不同封装方法对整个LED器件散热性能的影响,并进行红外热像图分析。
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本文主要介绍使用红外热像仪对LED芯片散热片进行检测,通过分析改善散热片设计,发现材料或设计中存在的问题,提高LED产品质量。
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LED芯片使用过程中什么让你“卡壳”?
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LED寿命会受到影响,影响有多大,也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据,他们说30%以内都可以接受,不过后来没有经过验证。
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为了降低结温以提高寿命就必须十分重视散热的问题。LED的散热设计必须从芯片开始一直到整个散热器,每一个环节都要给于充分的注意。任何一个环节设计不当都会引起严重的散热问题。 该技术命名为“微槽群复合相变集成冷却技术”。该技术已经成功应用LED灯上,LED芯片的热量能瞬间分布在整个散热空间中,延长了LED灯的寿命提高了发光效率。
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虽然从技术角度LED芯片理论寿命可达100000H,但由于封装、驱动、散热等技术的影响,应用到普通照明类的光源或灯具寿命也只能达到30000H,甚至市场上也存在很多用不到半年就会出问题的产品。如何提高LED照明产品可靠性问题也一直是企业需要解决的问题。
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LED灯具配件材料如何,直接影响了LED产品质量,这也是大工厂和小作坊的区别。现在外面充斥着几元钱的LED灯具,殊不知,高档的LED芯片1W价格成本就在2元。
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